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　　2 　主电路和系统控制结构

　　2. 1 　变频电源的主电路结构

　　主电路结构如图1 所示。J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对液位变送器整流模块的冲击。

　　采用工业上比较流行的SPWM 控制策略。由于载波频率的高频化,SPWM 脉冲波的第一组谐波中心向高频端迁移,距基波频率甚远,如

　　图2 所示。这就使得输出滤波网络得以小型轻量化,动态品质也得以改善。

　　输出滤波网络采用常K型两元件低通滤波器[5 ] 。滤波元件L 、C 的参数按下式选取:

　　L = R/ (πf c) (1)

　　C = 1/ (πf c R) (2)

　　式中　f c ———通带的高截止频率

　　R ———滤波器的特性阻抗

　　2. 2 　系统的控制结构

　　系统控制结构如图3 所示。电流环作为输出电压控制环的辅助环,能成功地限制逆变器的输出电流,以防止逆变器过载,提高电容式液位计系统稳定性。

　　图中　Uge ———电压给定

　　Upc ———偏磁校正

　　Igd ———电流给定

　　Uxl ———限流给定

　　3 　擎住效应及防护技术[1 ,2 ]

　　3. 1 　擎住效应

　　IGBT 由四层PNPN 组成,内部形成一个寄生晶闸管,有可能由于再生作用而发生擎住。IGBT的擎住效应有两种模型:稳定导通时的静

　　态擎住及关断时产生的动态擎住。

　　3. 2 　静态擎住效应

　　IGBT的等效电路如图4a 所示。α1 、α2 分别是VT1 和VT2 的电流放大系数且为物位开关电压电流的函数。如果α1 增大,通过P 基区的空穴电流Ih 也增大,当Up = Ih Rp > 0. 7V 时,NPN 管开通,VT1 、VT2 发生正反馈。已知当α1 + α2 = 1时,IGBT被擎住,栅极失去控制作用。IGBT 将发生破坏性损坏。